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1200℃双温区CVD系统
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关键词：
CVD
双温区CVD系统
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- 商品名称: 1200℃双温区CVD系统
- 商品编号: 1034429773968662528
产品用途：此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
销售热线：15122725930
产品用途：
此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
产品组成：
此款CVD系统配置：
1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）。
2.多路质量流量控制系统
3.真空系统（可选配中真空或高真空）
产品特点：
1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2 气路快速连接法兰结构采用本公司设计,提高操作便捷性。
3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵
防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。
系统名称
1200℃单/双温区CVD系统
系统型号
CVD-12II-3Z/G
CVD-12II6-3Z/G
最高温度
1200℃
加热区长度
420mm
600mm
恒温区长度
280mm
390mm
温区
双温区
双温区
石英管管径
Φ50/Φ60/Φ80mm
Φ80/Φ100mm
额定功率
3.2Kw
4.8Kw
额定电压
220V
温度控制
国产程序控温系统50段程序控温；
控制精度
±1℃
炉管最高工作温度
＜1200℃
气路法兰
密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效，该密封法兰的安装只需在第一次使用设备的时候安装
气体控制方式
质量流量计
气路数量
3路（可根据具体需要选配气路数量）
流量范围
0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定
精度
±1%F.S
响应时间
≤4sec
工作温度
5-45℃
工作压力
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力）
系统连接方式
采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
规格
高真空
系统真空范围
1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V 功率2KW
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V 功率2KW
炉体外形尺寸
340×580×555mm
480×770×605mm
系统外形尺寸
530x1440x750mm(不含高真空)
系统总重量
330kg
关键词:- CVD
- 双温区CVD系统
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